Transistores de espessura atômica de nitreto de boro e carbono superam metas da indústria para 2031 em testes, mas exigem 1.000 °C para serem fabricados
Pesquisadores da Universidade de Tóquio, em artigo na Nature, criaram o tipo “p” que faltava entre os semicondutores atomicamente finos. Foram testados 224 transistores, com razão liga/desliga de até 100 milhões.
